2024-03-28T09:28:09Zhttps://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace-oai/requestoai:eprints.lib.hokudai.ac.jp:2115/421152019-03-18T10:02:37Zhdl_2115_40373hdl_2115_40231hdl_2115_139高融点金属ゲートを用いたセルフアライン形InP MISFETの製作プロセスの検討Fabrication Process of Self-Aligned InP MISFETs Using Refractory Metal Gates田中, 利広Tanaka, Toshihiro石井, 敦司Ishii, Atsushi萩田, 晃一Hagita, Kouichi大野, 英男Ohno, Hideo長谷川, 英機Hasegawa, Hidekiopen access500北海道大学Hokkaido University1988-07-29jpndepartmental bulletin paperVoRhttp://hdl.handle.net/2115/421150385-602XAN00230223北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University141125135https://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace/bitstream/2115/42115/1/141_125-136.pdfapplication/pdf807.92 KB1988-07-29