2024-03-29T14:20:32Zhttps://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace-oai/requestoai:eprints.lib.hokudai.ac.jp:2115/734492022-11-17T02:08:08Zhdl_2115_20045hdl_2115_139有機半導体のグラフォエピタキシーGraphoepitaxy of organic semiconductor池田, 進Ikeda, Susumu和田, 恭雄Wada, Yasuo稲葉, 克彦Inaba, Katsuhiko寺嶋, 和夫Terashima, Kazuo1000010262148島田, 敏宏Shimada, Toshihiro斉木, 幸一朗Saiki, Koichiroopen access著作権は日本結晶成長学会にある。電子デバイス結晶成長Organic semiconductors have attracted much attention as key materials to realize plastic electronics, and thin film transistors (TFTs) using organic semiconductors are present target in this research field. However, randomly oriented polycrystalline films grown on amorphous gate insulator show a much lower carrier mobility than that of single crystals and this is one of the problems to make organic TFTs. To improve the mobility, control of in-plane orientation of the thin films on amorphous substrates is required. In this review, the concept of "graphoepitaxy" is introduced as a way to control the in-plane orientation, and application of graphoepitaxy to organic semiconductor sexithiophene is reported.有機半導体はそのフレキシビリティー,低コスト化などの観点から,新しい電子デバイス材料として注目を集めている.実デバイスとするためには高いキャリア移動度が要求されるが,例えば薄膜トランジスタにしばしば用いられるアモルファス基板(ゲート絶縁体)上で薄膜成長を行うと,面内方位がランダムな多結晶性薄膜となり,単結晶がもつ物質本来の移動度を引き出すことができない.このような基板に起因する有機半導体薄膜成長の問題点を解決する手段として,無機材料の分野で研究が進んでいるグラフォエピタキシーに着目した.本報では,有機半導体薄膜の面内配向制御にグラフォエピタキシーを応用した結果と有機グラフォエピタキシーに特有な結晶成長メカニズムについて解説する.日本結晶成長学会2008jpnjournal articleVoRhttp://hdl.handle.net/2115/73449https://doi.org/10.19009/jjacg.35.4_2430385-62752187-8366AN00188386日本結晶成長学会誌Journal of the Japanese Association for Crystal Growth354243248https://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace/bitstream/2115/73449/1/jjacg35%284%29243.pdfapplication/pdf1.68 MB2008