2024-03-29T13:26:58Zhttps://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace-oai/requestoai:eprints.lib.hokudai.ac.jp:2115/755762022-11-17T02:08:08Zhdl_2115_20045hdl_2115_139アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン形成過程のその場加熱観察In-situ Heating Observation of Formation Process of Polycrystalline Si Using Aluminum Induced Crystallization1000020335996池田, 賢一Ikeda, Ken-ichi中島, 英治Nakashima, Hideharu廣田, 健Hirota, Takeshi藤本, 健資Fujimoto, Kensuke杉本, 陽平Sugimoto, Youhei高田, 尚記Takata, Naoki井, 誠一郎Ii, Seiichiro中島, 寛Nakashima, Hiroshiopen accessIn-situ heating observationaluminum induced crystallizationpolycrystalline silicon430多結晶シリコン(Si)薄膜を低温で作製するプロセスの一つとしてアルミニウムAAl)誘起結晶化(Aluminum Induced Crystallization: AIC)法が注目されている。AIC法では、Fig.1に示すように基板にAl膜→アモルファスシリコン(a-Si)膜の順に蒸着した後に、600℃以下で熱処理を施すことで、Al膜とa-Si膜が完全に入れ替わり、a-Siの結晶化により多結晶Si薄膜(c-Si)が形成される。熱処理後に入れ替わったAl膜をエッチングにより除去すれば基板上に多結晶Si薄膜を大面積で作製することができ、次世代のデバイス材料への応用が期待される。これまで、a-Si/Al多層膜において、その場加熱TEM観察により結晶化に関する報告がなされているが、a-Si/Al二層膜での結晶化機構は明らかにされていないのが現状である。そこで本研究では、AIC法による多結晶Siの形成過程を明らかにするために、TEM内その場加熱観察を行った。日本金属学会2006-12-20jpnjournal articleVoRhttp://hdl.handle.net/2115/75576https://doi.org/10.2320/materia.45.9061340-26251884-5843AN10433227まてりあMateria Japan4512906906https://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace/bitstream/2115/75576/1/materia%2045%2812%29%20906.pdfapplication/pdf1.14 MB2006-12-20