2024-03-28T22:00:30Zhttps://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace-oai/requestoai:eprints.lib.hokudai.ac.jp:2115/418292019-03-18T09:57:11Zhdl_2115_40349hdl_2115_40231hdl_2115_139SiO2光導波路とGaAs受光素子の分布結合方式における光結合長の解析 : 光・電子集積回路におけるO/E変換部の検討Analysis of Coupling Length for Distributed Coupling between SiO2 optical waveguides and GaAs photodetectors : A Study of O/E Interface in Optoelectronic Integrated Circuits松尾, 望大野, 英男長谷川, 英機500北海道大学Departmental Bulletin Paperapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/2115/41829https://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace/bitstream/2115/41829/1/117_39-48.pdf0385-602XAN00230223北海道大學工學部研究報告11739481984-01-31jpnpublisher