2024-03-29T08:06:52Zhttps://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace-oai/requestoai:eprints.lib.hokudai.ac.jp:2115/419442019-03-18T09:57:12Zhdl_2115_40359hdl_2115_40231hdl_2115_139等温過渡容量法 (ICTS) によるアモルファスSi MIS構造の評価Characterization of Interface Properties in an Amorphous Silicon Metal Insulator Semiconductor Structure by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy有本, 智金澤, 裕原, 毅彦大野, 英男長谷川, 英機500北海道大学Departmental Bulletin Paperapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/2115/41944https://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace/bitstream/2115/41944/1/127_27-38.pdf0385-602XAN00230223北海道大學工學部研究報告12727371985-07-31jpnpublisher