| Type | Author(s) | Title | Other Titles | Citation | Citation(alt) | Issue Date |
| bulletin (article) | 勝見, 隆一; 大野, 英男; 高間, 俊彦; 長谷川, 英機 | 分子線エピタキシャル法によるGaAs, InAsおよびGa_[x]In_[1-x]AsとGaAs/InAs歪入り超格子の成長 | Epitaxial Growth of GaAs, InAs, Ga_[x]In_[1-x]As and GaAs/InAs Strained Layer Superlattice by Molecular Beam Epitaxy | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jan-1985 |
| bulletin (article) | 松崎, 賢一郎; 友沢, 秀征; 駱, 季奎; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 分子線エピタキシ法によるGaAsおよびInGaAs選択ドープへテロ構造の形成と2次元電子ガスの特性評価 | The Growth of GaAs and InGaAs Selectively Doped Hetero-structures by Molecular Beam Epitaxy and Characterization of Two-dimensional Electron Gas | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1989 |
| bulletin (article) | 池田, 英治; 赤津, 祐史; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 有機金属気相成長法によるGaAsのエピタキシャル成長 | Epitaxial Growth of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1983 |
| bulletin (article) | 止境, 伸明; 大内, 敦; 大塚, 俊介; 池田, 英治; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 有機金属気相成長法によるInGaAsの成長 | Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Growth of InGaAs | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1987 |
| bulletin (article) | 増田, 宏; 何, 力; 長谷川, 英機; 沢田, 孝幸; 大野, 英男 | 容量過渡解析によるAl2O3/native oxide/InP MIS構造の評価 | Characterization of Interface Properties of Al2O3/native oxide/InP MIS Structure by Capacitance Transient Analysis | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1986 |
| bulletin (article) | 南條, 淳二; 山本, 秀和; 長谷川, 英機 | 陽極酸化法によるMIS形Si太陽電池の試作 | Si MIS Solar Cells by Anodization | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1981 |
