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Hokkaido University Collection of Scholarly and Academic Papers >
Showing results 21 to 26 of 26
| Type | Author(s) | Title | Other Titles | Citation | Citation(alt) | Issue Date | | bulletin (article) | 赤津, 祐史; 松本, 昌治; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | MBE成長によるGaAsおよびAlGaAs中の深い準位 | Deep Levels in GaAs and AlGaAs Grown by MBE | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1985 |
| bulletin (article) | 勝見, 隆一; 大野, 英男; 高間, 俊彦; 長谷川, 英機 | 分子線エピタキシャル法によるGaAs, InAsおよびGa_[x]In_[1-x]AsとGaAs/InAs歪入り超格子の成長 | Epitaxial Growth of GaAs, InAs, Ga_[x]In_[1-x]As and GaAs/InAs Strained Layer Superlattice by Molecular Beam Epitaxy | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jan-1985 |
| bulletin (article) | 松尾, 望; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | SiO2光導波路とGaAs受光素子の分布結合方式における光結合長の解析 : 光・電子集積回路におけるO/E変換部の検討 | Analysis of Coupling Length for Distributed Coupling between SiO2 optical waveguides and GaAs photodetectors : A Study of O/E Interface in Optoelectronic Integrated Circuits | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jan-1984 |
| bulletin (article) | 池田, 英治; 赤津, 祐史; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 有機金属気相成長法によるGaAsのエピタキシャル成長 | Epitaxial Growth of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1983 |
| bulletin (article) | 南條, 淳二; 山本, 秀和; 長谷川, 英機 | 陽極酸化法によるMIS形Si太陽電池の試作 | Si MIS Solar Cells by Anodization | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1981 |
| bulletin (article) | 小島, 清明; 長谷川, 英機 | 高抵抗率半導体結晶の成長条件について | Growth Conditions of High-Resistivity Semiconductor Crystals | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Oct-1980 |
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