| Type | Author(s) | Title | Other Titles | Citation | Citation(alt) | Issue Date |
| bulletin (article) | 松原, 義徳; 後藤, 修; 大塚, 俊介; 長谷川, 英機; 大野, 英男 | MOVPE法によるInAsの原子層エピタキシと成長機構 | Atomic Layer Epitaxy of InAs by MOVPE and Growth Mechanism | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1990 |
| bulletin (article) | 楊, 炳雄; 石井, 宏辰; 飯塚, 浩一; 長谷川, 英機; 大野, 英男 | InPをPソースとするInPのMBE成長 | MBE Growth of InP Using Polycrystalline InP as the Phosphorus Source | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1990 |
| bulletin (article) | 松崎, 賢一郎; 友沢, 秀征; 駱, 季奎; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 分子線エピタキシ法によるGaAsおよびInGaAs選択ドープへテロ構造の形成と2次元電子ガスの特性評価 | The Growth of GaAs and InGaAs Selectively Doped Hetero-structures by Molecular Beam Epitaxy and Characterization of Two-dimensional Electron Gas | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1989 |
| bulletin (article) | 廣瀬, 達哉; 松崎, 賢一郎; 駱, 季奎; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 選択ドープAlGaAs/GaAsヘテロ構造における2次元電子の磁気抵抗効果 | Magnetoresistance of Two Dimensional Electron Gas in AlGaAs/GaAs Selectively Doped Hetrero Structures | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1989 |
| bulletin (article) | 高橋, 平七郎; 柴山, 環樹; 長谷川, 英樹; 大野, 英男 | 高分解能電子顕微鏡による化合物半導体/酸化絶縁膜界面構造の観察 | Observation of Interfaces of Compound Semiconductors by High Resolution Electron Microscope | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 30-Sep-1988 |
| bulletin (article) | 菊地, 強; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | ショットキー電極を用いたIN0.53Ga0.47As金属-半導体-金属フォトダイオード | In0.53Ga0.47As Metal-semiconductor-metal Photodiode Using Schottky Contact | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 29-Jul-1988 |
| bulletin (article) | 田中, 利広; 石井, 敦司; 萩田, 晃一; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 高融点金属ゲートを用いたセルフアライン形InP MISFETの製作プロセスの検討 | Fabrication Process of Self-Aligned InP MISFETs Using Refractory Metal Gates | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 29-Jul-1988 |
| bulletin (article) | 工藤, 潤一; 長谷川, 英機; 大野, 英男; 飯塚, 浩一 | 超高速GaAs集積回路における配線の信号伝送特性の解析 : 配線抵抗の効果 | Signal Propagation Characteristics of Interconnect in GaAs Ultra High Speed Integrated Circuits : Effect of Interconnect Resistance | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 30-May-1988 |
| bulletin (article) | 劉, 亜莉; 長谷川, 英機; 大野, 英男 | 半絶縁性GaAs基板の絶縁破壊機構に関する検討 | Investigation of Breakdown Mechanism of Semi-Insulating GaAs | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Oct-1987 |
| bulletin (article) | 矢野, 仁之; 大野, 英男; 長谷川, 英機; 沢田, 孝幸 | 光伝導法による半絶縁性InP基板の評価 | Characterization of Semi-Insulating InP Substrates by Photo-Conductance Measurement | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1987 |
| bulletin (article) | 止境, 伸明; 大内, 敦; 大塚, 俊介; 池田, 英治; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 有機金属気相成長法によるInGaAsの成長 | Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Growth of InGaAs | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1987 |
| bulletin (article) | 長沢, 進; 藤島, 直人; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | GaAsを活性層とする光伝導形受光素子 | Photoconductive Detectors with GaAs Active Layer | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1986 |
| bulletin (article) | 増田, 宏; 何, 力; 長谷川, 英機; 沢田, 孝幸; 大野, 英男 | 容量過渡解析によるAl2O3/native oxide/InP MIS構造の評価 | Characterization of Interface Properties of Al2O3/native oxide/InP MIS Structure by Capacitance Transient Analysis | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1986 |
| bulletin (article) | 有本, 智; 金澤, 裕; 原, 毅彦; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 等温過渡容量法 (ICTS) によるアモルファスSi MIS構造の評価 | Characterization of Interface Properties in an Amorphous Silicon Metal Insulator Semiconductor Structure by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1985 |
| bulletin (article) | 大野, 英男 | GaAs/InAs（001）超格子半導体のバンド構造 | Band Structure of GaAs/InAs (001) Superlattice Semiconductor | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1985 |
| bulletin (article) | 赤津, 祐史; 松本, 昌治; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | MBE成長によるGaAsおよびAlGaAs中の深い準位 | Deep Levels in GaAs and AlGaAs Grown by MBE | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1985 |
| bulletin (article) | 勝見, 隆一; 大野, 英男; 高間, 俊彦; 長谷川, 英機 | 分子線エピタキシャル法によるGaAs, InAsおよびGa_[x]In_[1-x]AsとGaAs/InAs歪入り超格子の成長 | Epitaxial Growth of GaAs, InAs, Ga_[x]In_[1-x]As and GaAs/InAs Strained Layer Superlattice by Molecular Beam Epitaxy | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jan-1985 |
| bulletin (article) | 松尾, 望; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | SiO2光導波路とGaAs受光素子の分布結合方式における光結合長の解析 : 光・電子集積回路におけるO/E変換部の検討 | Analysis of Coupling Length for Distributed Coupling between SiO2 optical waveguides and GaAs photodetectors : A Study of O/E Interface in Optoelectronic Integrated Circuits | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jan-1984 |
| bulletin (article) | 池田, 英治; 赤津, 祐史; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 有機金属気相成長法によるGaAsのエピタキシャル成長 | Epitaxial Growth of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1983 |
