Hokkaido University Collection of Scholarly and Academic Papers >
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Type | Author(s) | Title | Other Titles | Citation | Citation(alt) | Issue Date | bulletin (article) | 樋口, 恵一; 後藤, 修; 福井, 孝志; 長谷川, 英機 | 原子層エピタキシ法によるInAs/GaAs量子井戸の形成と評価 | The Fabrication and Properties of InAs/GaAs Quantum Wells by ALE | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 27-May-1992 |
bulletin (article) | 後藤, 修; 樋口, 恵一; 長谷川, 英機 | 原子層エピタキシ法によるInAs,GaAs薄膜の形成と量子井戸および障壁構造の製作 | Atomic Layer Epitaxy Growth of InAs and GaAs Thin Films and Fabrication of Quantum Wells and Barriers | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 24-May-1991 |
bulletin (article) | 松原, 義徳; 後藤, 修; 大塚, 俊介; 長谷川, 英機; 大野, 英男 | MOVPE法によるInAsの原子層エピタキシと成長機構 | Atomic Layer Epitaxy of InAs by MOVPE and Growth Mechanism | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1990 |
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