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TypeAuthor(s)TitleOther TitlesCitationCitation(alt)Issue Date
bulletin (article)佐々木, 恵二; 赤沢, 正道; 塩原, 俊助; 長谷川, 英機半絶縁性基板の表面電気伝導および表面不活性化Electrical Conduction Near Surface of Semi-Insulating Substrate and Its Surface Passivation北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University29-Jul-1994
bulletin (article)岩穴, 忠義; 藤倉, 序章; 長谷川, 英機フォトルミネセンス法によるInGaAS細線の評価Charactorization of InGaAs Wires by Photoluminescence北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University29-Jul-1994
bulletin (article)西本, 陽一郎; 斉藤, 俊也; 長谷川, 英機フォトルミネセンス法によるシリコン表面の表面再結合速度の評価Measurement of Surface Recombination Velocity of Si Surface by Photoluminescence Method北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University28-May-1993
bulletin (article)樋口, 恵一; 後藤, 修; 福井, 孝志; 長谷川, 英機原子層エピタキシ法によるInAs/GaAs量子井戸の形成と評価The Fabrication and Properties of InAs/GaAs Quantum Wells by ALE北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University27-May-1992
bulletin (article)岩舘, 弘剛; 斉藤, 俊也; 長谷川, 英機フォトルミネセンス法によるInGaAs表面の評価Characterization of InGaAs Surface by Photoluminescence北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University20-Jul-1991
bulletin (article)大植, 英司; 赤沢, 正道; 児玉, 聡; 長谷川, 英機シリコン超薄膜を用いたInGaAsの表面不活性化とその応用A New Surface Passivation Method of InGaAs Using a Si Ultrathin Layer and Its Application北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University20-Jul-1991
bulletin (article)後藤, 修; 樋口, 恵一; 長谷川, 英機原子層エピタキシ法によるInAs,GaAs薄膜の形成と量子井戸および障壁構造の製作Atomic Layer Epitaxy Growth of InAs and GaAs Thin Films and Fabrication of Quantum Wells and Barriers北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University24-May-1991
bulletin (article)松原, 義徳; 後藤, 修; 大塚, 俊介; 長谷川, 英機; 大野, 英男MOVPE法によるInAsの原子層エピタキシと成長機構Atomic Layer Epitaxy of InAs by MOVPE and Growth Mechanism北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-May-1990
bulletin (article)楊, 炳雄; 石井, 宏辰; 飯塚, 浩一; 長谷川, 英機; 大野, 英男InPをPソースとするInPのMBE成長MBE Growth of InP Using Polycrystalline InP as the Phosphorus Source北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-May-1990
bulletin (article)松崎, 賢一郎; 友沢, 秀征; 駱, 季奎; 大野, 英男; 長谷川, 英機分子線エピタキシ法によるGaAsおよびInGaAs選択ドープへテロ構造の形成と2次元電子ガスの特性評価The Growth of GaAs and InGaAs Selectively Doped Hetero-structures by Molecular Beam Epitaxy and Characterization of Two-dimensional Electron Gas北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-May-1989
bulletin (article)廣瀬, 達哉; 松崎, 賢一郎; 駱, 季奎; 大野, 英男; 長谷川, 英機選択ドープAlGaAs/GaAsヘテロ構造における2次元電子の磁気抵抗効果Magnetoresistance of Two Dimensional Electron Gas in AlGaAs/GaAs Selectively Doped Hetrero Structures北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-May-1989
bulletin (article)菊地, 強; 大野, 英男; 長谷川, 英機ショットキー電極を用いたIN0.53Ga0.47As金属-半導体-金属フォトダイオードIn0.53Ga0.47As Metal-semiconductor-metal Photodiode Using Schottky Contact北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University29-Jul-1988
bulletin (article)田中, 利広; 石井, 敦司; 萩田, 晃一; 大野, 英男; 長谷川, 英機高融点金属ゲートを用いたセルフアライン形InP MISFETの製作プロセスの検討Fabrication Process of Self-Aligned InP MISFETs Using Refractory Metal Gates北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University29-Jul-1988
bulletin (article)工藤, 潤一; 長谷川, 英機; 大野, 英男; 飯塚, 浩一超高速GaAs集積回路における配線の信号伝送特性の解析 : 配線抵抗の効果Signal Propagation Characteristics of Interconnect in GaAs Ultra High Speed Integrated Circuits : Effect of Interconnect Resistance北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University30-May-1988
bulletin (article)劉, 亜莉; 長谷川, 英機; 大野, 英男半絶縁性GaAs基板の絶縁破壊機構に関する検討Investigation of Breakdown Mechanism of Semi-Insulating GaAs北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Oct-1987
bulletin (article)止境, 伸明; 大内, 敦; 大塚, 俊介; 池田, 英治; 大野, 英男; 長谷川, 英機有機金属気相成長法によるInGaAsの成長Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Growth of InGaAs北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jul-1987
bulletin (article)矢野, 仁之; 大野, 英男; 長谷川, 英機; 沢田, 孝幸光伝導法による半絶縁性InP基板の評価Characterization of Semi-Insulating InP Substrates by Photo-Conductance Measurement北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jul-1987
bulletin (article)長沢, 進; 藤島, 直人; 大野, 英男; 長谷川, 英機GaAsを活性層とする光伝導形受光素子Photoconductive Detectors with GaAs Active Layer北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jul-1986
bulletin (article)増田, 宏; 何, 力; 長谷川, 英機; 沢田, 孝幸; 大野, 英男容量過渡解析によるAl2O3/native oxide/InP MIS構造の評価Characterization of Interface Properties of Al2O3/native oxide/InP MIS Structure by Capacitance Transient Analysis北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jul-1986
bulletin (article)有本, 智; 金澤, 裕; 原, 毅彦; 大野, 英男; 長谷川, 英機等温過渡容量法 (ICTS) によるアモルファスSi MIS構造の評価Characterization of Interface Properties in an Amorphous Silicon Metal Insulator Semiconductor Structure by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jul-1985
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