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Electrochemical Processes for Formation, Processing and Gate Control of III-V Semiconductor Nanostructures

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タイトル: Electrochemical Processes for Formation, Processing and Gate Control of III-V Semiconductor Nanostructures
著者: Hasegawa, Hideki 著作を一覧する
Sato, Taketomo 著作を一覧する
キーワード: III-V semiconductors
anodic etching
nanopore
electrodeposition
Schottky barrier
発行日: 2005年 5月20日
出版者: Elsevier
誌名: Electrochimica Acta
巻: 50
号: 15
開始ページ: 3015
終了ページ: 3027
出版社 DOI: 10.1016/j.electacta.2004.11.066
抄録: This paper reviews recent efforts by authors’ group to utilize electrochemical processes for formation, processing and gate control of III-V semiconductor nanostructures. Topics include precise photo anodic and pulsed anodic etching of InP, formation of arrays of <001>- oriented straight nanopores in n-type (001) InP by anodization and their possible applications, and macroscopic and nanometer-scale metal contact formation on GaAs, InP and GaN by a pulsed in-situ electrochemical process, which remarkably reduces Fermi level pinning. All the results indicate that electrochemical processes can achieve unique and important results which the conventional semiconductor technology cannot realize, anticipating their increased importance in future semiconductor nanotechnology and nanoelectronics.
関連URI: http://www.sciencedirect.com/science/journal/00134686
資料タイプ: article (author version)
URI: http://hdl.handle.net/2115/8383
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 佐藤 威友

 

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