北海道大学工学部研究報告 = Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University;No.155

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原子層エピタキシ法によるInAs,GaAs薄膜の形成と量子井戸および障壁構造の製作

後藤, 修;樋口, 恵一;長谷川, 英機

Permalink : http://hdl.handle.net/2115/42278

Abstract


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