北海道大学工学部研究報告 = Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University;No.156
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No.156
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シリコン超薄膜を用いたInGaAsの表面不活性化とその応用
大植, 英司;赤沢, 正道;児玉, 聡;長谷川, 英機
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http://hdl.handle.net/2115/42285
Abstract
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