北海道大学工学部研究報告 = Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University;No.159
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No.159
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原子層エピタキシ法によるInAs/GaAs量子井戸の形成と評価
樋口, 恵一;後藤, 修;福井, 孝志;長谷川, 英機
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http://hdl.handle.net/2115/42309
Abstract
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