北海道大学工学部研究報告 = Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University;No.159

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原子層エピタキシ法によるInAs/GaAs量子井戸の形成と評価

樋口, 恵一;後藤, 修;福井, 孝志;長谷川, 英機

Permalink : http://hdl.handle.net/2115/42309

Abstract


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