Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions with exchange biasing

Marukame, Takao; Ishikawa, Takayuki; Hakamata, Shinya et al.

Applied Physics Letters, 2007, 90(1), 012508

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/17219

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論文情報

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アクセス権
open access
URI
https://hdl.handle.net/2115/17219
タイトル
Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions with exchange biasing
著者
Marukame, Takao ; Ishikawa, Takayuki ; Hakamata, Shinya ; Matsuda, Ken-ichi ; Uemura, Tetsuya ; Yamamoto, Masafumi
著者名
Marukame, Takao
著者名
Ishikawa, Takayuki
著者名
Hakamata, Shinya
e-Rad_Researcher
80360931
著者名
Matsuda, Ken-ichi
e-Rad_Researcher
20344476
著者名
Uemura, Tetsuya
e-Rad_Researcher
10322835
著者名
Yamamoto, Masafumi
言語
英語
発行日
2007-01-01
出版者
American Institute of Physics
収録物名
Applied Physics Letters
巻(号)
90(1)
ページ
012508
抄録
Fully epitaxial magnetic tunnel junctions (MTJs) with exchange biasing were fabricated with a full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al (CCFA) thin film and a MgO tunnel barrier, where a Co50Fe50 upper electrode was used in a synthetic ferrimagnetic Co50Fe50/Ru/Co90Fe10 trilayer exchange-biased with an IrMn layer through the Co90Fe10/IrMn interface. The fabricated MTJs exhibited clear exchange-biased tunnel magnetoresistance (TMR) characteristics with high TMR ratios of 109% at room temperature and 317% at 4.2 K. A high tunneling spin polarization of 0.88 at 4.2 K was estimated for epitaxial CCFA films with the B2 structure. ©2007 American Institute of Physics
資源タイプ
学術雑誌論文
出版タイプ
Version of Record
権利情報
Copyright © 2007 American Institute of Physics
PISSN
0003-6951
EISSN
0003-6951
関連情報 (isIdenticalTo)
出版社版DOI
https://doi.org/10.1063/1.2428412