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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
E&S-SL10-5	pdf	351 KB	2,152

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/20209
タイトル	Electrochemical Formation of Size-Controlled InP Nanostructures Using Anodic and Cathodic Reactions
著者	Sato, Taketomo ; Fujino, Toshiyuki ; Hashizume, Tamotsu
e-Rad_Researcher 50343009 著者名 Sato, Taketomo
著者名 Fujino, Toshiyuki
e-Rad_Researcher 80149898 著者名 Hashizume, Tamotsu
言語	英語
キーワード	nanostructured materials
	dissociation
	indium compounds
	III-V semiconductors
	etching
	crystal orientation
	electrodeposition
	semiconductor growth
発行日	2007
出版者	The Electrochemical Society
収録物名	Electrochemical and Solid-State Letters
巻(号)	10(5)
ページ	H153-H155
抄録	A two-step electrochemical process using anodic and cathodic reactions was developed to form size-controlled nanostructures on InP(001) substrates. After anodic formation of a nanopore array, the cathodic decomposition process was applied to reduce the thickness of InP nanowalls. The etching rate of the nanowalls was extremely small and strongly dependent on the cathodic bias and crystal orientations of the wall surface. Wall thickness could be controlled in the range of 10–30 nm by changing the cathodic bias and processing time.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	1099-0062
関連情報	URI http://www.electrochem.org/
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1149/1.2713662

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