Smallest (∼10nm) phase-change marks in amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films

Tanaka, Keiji

Journal of Non-Crystalline Solids, 2007, 353(18-21), 1899-1903

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/28127

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/28127
タイトル	Smallest (∼10nm) phase-change marks in amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films
著者	e-Rad_Researcher 20002313 著者名 Tanaka, Keiji 田中, 啓司
言語	英語
キーワード	Nucleation
	Atomic force and scanning tunneling microscopy
	Nanoclusters
	Nanocrystals
発行日	2007-06-15
出版者	Elsevier B.V.
収録物名	Journal of Non-Crystalline Solids
巻(号)	353(18-21)
ページ	1899-1903
抄録	Electrical nano-scale crystallization and amorphization in amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films have been studied using scanning probe microscopes. In scanning tunneling microscopes, the phase changes can be induced, not by tunneling currents, but by conducting currents flowing through contacted probes. In an atomic force microscope, metallic cantilevers can produce phase-change marks with minimal sizes of 10 nm. The crystallization and amorphization processes show different dependences upon thickness of Ge2Sb2Te5 films. These features are discussed from thermo-dynamical and microscopic structural points-of-view.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Accepted Manuscript
PISSN	0022-3093
関連情報	URI http://www.sciencedirect.com/science/journal/00223093
関連情報 (isVersionOf)	出版社版DOI https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2007.02.020