Electronic properties of metal-induced gap states formed at alkali-halide/metal interfaces

Kiguchi, Manabu; Yoshikawa, Genki; Ikeda, Susumu et al.

Physical Review B, 2005, 71(15), 153401

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/29747

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/29747
タイトル	Electronic properties of metal-induced gap states formed at alkali-halide/metal interfaces
著者	Kiguchi, Manabu ; Yoshikawa, Genki ; Ikeda, Susumu ; Saiki, Koichiro
著者名 Kiguchi, Manabu
著者名 Yoshikawa, Genki
著者名 Ikeda, Susumu
著者名 Saiki, Koichiro
言語	英語
発行日	2005-04-06
出版者	American Physical Society
収録物名	Physical Review B
巻(号)	71(15)
ページ	153401
抄録	The spatial distribution and site distribution of metal-induced gap states (MIGS) are studied by thickness-dependent near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) and by comparing the cation and anion-edge NEXAFS. The thickness-dependent NEXAFS shows that the decay length of MIGS depends on an alkali-halide rather than a metal, and it is larger for alkali-halides with smaller band gap energies. By comparing the Cl-edge and K-edge NEXAFS for KCl/Cu(001), MIGS are found to be states localizing at anion sites.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Copyright © 2005 American Physical Society
PISSN	0163-1829
EISSN	1095-3795
関連情報	URI http://www.aps.org/
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.153401