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ASS237-1-4	pdf	186 KB	1,203

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/29771
タイトル	Metal induced gap states at alkali halide/metal interface
著者	Kiguchi, Manabu ; Yoshikawa, Genki ; Ikeda, Susumu ; Saiki, Koichiro
著者名 Kiguchi, Manabu
著者名 Yoshikawa, Genki
著者名 Ikeda, Susumu
著者名 Saiki, Koichiro
言語	英語
キーワード	Metal–insulator interfaces
	Near-edge extended X-ray absorption fine structure
	Alkali halides
発行日	2004-10-15
出版者	Elsevier B.V.
収録物名	Applied Surface Science
巻(号)	237(1-4)
ページ	495-498
抄録	The electronic state of a KCl/Cu(0 0 1) interface was investigated using the Cl K-edge near-edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS). A pre-peak observed on the bulk edge onset of thin KCl films has a similar feature to the peak at a LiCl/Cu(0 0 1) interface, which originates from the metal induced gap state (MIGS). The present result indicates that the MIGS is formed universally at alkali halide/metal interfaces. The decay length of MIGS to an insulator differs from each other, mainly due to the difference in the band gap energy of alkali halide.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Accepted Manuscript
PISSN	0169-4332
関連情報	URI http://www.sciencedirect.com/science/journal/01694332
関連情報 (isVersionOf)	出版社版DOI https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.06.127

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