Nearly Temperature-Independent Saturation Drain Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor

Tamura, Takahiro; Kotani, Junji; Kasai, Seiya et al.

Applied Physics Express, 2008, 1(2), 023001

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/33900

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/33900
タイトル	Nearly Temperature-Independent Saturation Drain Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor
著者	Tamura, Takahiro ; Kotani, Junji ; Kasai, Seiya ; Hashizume, Tamotsu
著者名 Tamura, Takahiro
著者名 Kotani, Junji
e-Rad_Researcher 30312383 著者名 Kasai, Seiya
e-Rad_Researcher 80149898 著者名 Hashizume, Tamotsu
言語	英語
発行日	2008-02-25
出版者	The Japan Society of Applied Physics
収録物名	Applied Physics Express
巻(号)	1(2)
ページ	023001
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Accepted Manuscript
権利情報	Copyright © 2008 The Japan Society of Applied Physics
PISSN	1882-0778
EISSN	1882-0786
NCID	AA12295133
関連情報 (isVersionOf)	出版社版DOI https://doi.org/10.1143/APEX.1.023001