拡散型シリコン n-p-n トランジスタにおける押し出し効果

前田, 正雄; 真鍋, 豊孝

北海道大學工學部研究報告, 1966, 41, 167-185

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/40802

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41_167-186	pdf	1.78 MB	3,493

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/40802
タイトル	拡散型シリコン n-p-n トランジスタにおける押し出し効果
タイトル	Emitter Dip Effect in Double Diffused n-p-n Silicon Transistor
著者	著者名前田, 正雄 Maeda, Masao
著者	著者名真鍋, 豊孝 Manabe, Toyotaka
言語	日本語
発行日	1966-08-20
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	41
ページ	167-185
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223