有機金属気相成長法によるGaAsのエピタキシャル成長

池田, 英治; 赤津, 祐史; 大野, 英男他

北海道大學工學部研究報告, 1983, 114, 25-32

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/41794

このアイテムのアクセス数:1,284件（2026-02-18 21:05 集計）

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
114_25-32	pdf	690 KB	7,339

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/41794
タイトル	有機金属気相成長法によるGaAsのエピタキシャル成長
タイトル	Epitaxial Growth of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
著者	池田, 英治 ; 赤津, 祐史 ; 大野, 英男 ; 長谷川, 英機
著者名池田, 英治 Ikeda, Eiji
著者名赤津, 祐史 Akatsu, Yuhji
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1983-05-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	114
ページ	25-32
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223