SiO2光導波路とGaAs受光素子の分布結合方式における光結合長の解析 : 光・電子集積回路におけるO/E変換部の検討

松尾, 望; 大野, 英男; 長谷川, 英機

北海道大學工學部研究報告, 1984, 117, 39-48

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/41829

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/41829
タイトル	SiO2光導波路とGaAs受光素子の分布結合方式における光結合長の解析 : 光・電子集積回路におけるO/E変換部の検討
タイトル	Analysis of Coupling Length for Distributed Coupling between SiO2 optical waveguides and GaAs photodetectors : A Study of O/E Interface in Optoelectronic Integrated Circuits
著者	松尾, 望 ; 大野, 英男 ; 長谷川, 英機
著者名松尾, 望 Matsuo, Nozomu
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1984-01-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	117
ページ	39-48
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223