MOCVD成長によるアンドープGaAs中の電子トラップ

橋詰, 保; 池田, 英治; 赤津, 祐史他

北海道大學工學部研究報告, 1984, 121, 23-31

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/41875

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121_23-32	pdf	456 KB	2,814

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/41875
タイトル	MOCVD成長によるアンドープGaAs中の電子トラップ
タイトル	Deep Electron Traps in Undoped GaAs Grown by MOCVD
著者	橋詰, 保 ; 池田, 英治 ; 赤津, 祐史 ; 大野, 英男 ; 長谷川, 英機
e-Rad_Researcher 80149898 著者名橋詰, 保 Hashizume, Tamotsu
著者名池田, 英治 Ikeda, Eiji
著者名赤津, 祐史 Akatsu, Yuji
e-Rad_Researcher 00152215 著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
e-Rad_Researcher 60001781 著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1984-05-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	121
ページ	23-31
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223