分子線エピタキシャル法によるGaAs, InAsおよびGa_[x]In_[1-x]AsとGaAs/InAs歪入り超格子の成長

勝見, 隆一; 大野, 英男; 高間, 俊彦他

北海道大學工學部研究報告, 1985, 124, 37-47

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/41898

このアイテムのアクセス数:1,291件（2026-02-09 11:43 集計）

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
124_37-48	pdf	1.17 MB	7,257

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/41898
タイトル	分子線エピタキシャル法によるGaAs, InAsおよびGa_[x]In_[1-x]AsとGaAs/InAs歪入り超格子の成長
タイトル	Epitaxial Growth of GaAs, InAs, Ga_[x]In_[1-x]As and GaAs/InAs Strained Layer Superlattice by Molecular Beam Epitaxy
著者	勝見, 隆一 ; 大野, 英男 ; 高間, 俊彦 ; 長谷川, 英機
著者名勝見, 隆一 Katsumi, Ryuichi
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
著者名高間, 俊彦 Takama, Toshihiko
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1985-01-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	124
ページ	37-47
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223