MBE成長によるGaAsおよびAlGaAs中の深い準位

赤津, 祐史; 松本, 昌治; 大野, 英男他

北海道大學工學部研究報告, 1985, 126, 59-67

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/41929

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126_59-68	pdf	838 KB	4,659

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/41929
タイトル	MBE成長によるGaAsおよびAlGaAs中の深い準位
タイトル	Deep Levels in GaAs and AlGaAs Grown by MBE
著者	赤津, 祐史 ; 松本, 昌治 ; 大野, 英男 ; 長谷川, 英機
著者名赤津, 祐史 Akatsu, Yuji
著者名松本, 昌治 Matsumoto, Masaharu
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1985-05-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	126
ページ	59-67
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223