等温過渡容量法 (ICTS) によるアモルファスSi MIS構造の評価

有本, 智; 金澤, 裕; 原, 毅彦他

北海道大學工學部研究報告, 1985, 127, 27-37

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/41944

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127_27-38	pdf	770 KB	3,164

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/41944
タイトル	等温過渡容量法 (ICTS) によるアモルファスSi MIS構造の評価
タイトル	Characterization of Interface Properties in an Amorphous Silicon Metal Insulator Semiconductor Structure by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy
著者	有本, 智 ; 金澤, 裕 ; 原, 毅彦 ; 大野, 英男 ; 長谷川, 英機
著者名有本, 智 Arimoto, Satoshi
著者名金澤, 裕 Kanazawa, Yutaka
著者名原, 毅彦 Hara, Takahiko
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1985-07-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	127
ページ	27-37
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223