GaAsを活性層とする光伝導形受光素子

長沢, 進; 藤島, 直人; 大野, 英男他

北海道大學工學部研究報告, 1986, 132, 101-111

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/41999

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/41999
タイトル	GaAsを活性層とする光伝導形受光素子
タイトル	Photoconductive Detectors with GaAs Active Layer
著者	長沢, 進 ; 藤島, 直人 ; 大野, 英男 ; 長谷川, 英機
著者名長沢, 進 Nagasawa, Susumu
著者名藤島, 直人 Fujishima, Naoto
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1986-07-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	132
ページ	101-111
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223