有機金属気相成長法によるInGaAsの成長

止境, 伸明; 大内, 敦; 大塚, 俊介他

北海道大學工學部研究報告, 1987, 136, 89-97

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42040

このアイテムのアクセス数:1,400件（2026-10-17 06:38 集計）

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
136_89-98	pdf	859 KB	4,741

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42040
タイトル	有機金属気相成長法によるInGaAsの成長
タイトル	Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Growth of InGaAs
著者	止境, 伸明 ; 大内, 敦 ; 大塚, 俊介 ; 池田, 英治 ; 大野, 英男 ; 長谷川, 英機
著者名止境, 伸明 Tomesakai, Nobuaki
著者名大内, 敦 Ohuchi, Atushi
著者名大塚, 俊介 Ohtsuka, Shunsuke
著者名池田, 英治 Ikeda, Eiji
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1987-07-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	136
ページ	89-97
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223