高融点金属ゲートを用いたセルフアライン形InP MISFETの製作プロセスの検討

田中, 利広; 石井, 敦司; 萩田, 晃一他

北海道大學工學部研究報告, 1988, 141, 125-135

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42115

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42115
タイトル	高融点金属ゲートを用いたセルフアライン形InP MISFETの製作プロセスの検討
タイトル	Fabrication Process of Self-Aligned InP MISFETs Using Refractory Metal Gates
著者	田中, 利広 ; 石井, 敦司 ; 萩田, 晃一 ; 大野, 英男 ; 長谷川, 英機
著者名田中, 利広 Tanaka, Toshihiro
著者名石井, 敦司 Ishii, Atsushi
著者名萩田, 晃一 Hagita, Kouichi
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1988-07-29
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	141
ページ	125-135
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223