高分解能電子顕微鏡による化合物半導体/酸化絶縁膜界面構造の観察

高橋, 平七郎; 柴山, 環樹; 長谷川, 英樹他

北海道大學工學部研究報告, 1988, 143, 1-10

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42147

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143_1-10	pdf	1.68 MB	4,430

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42147
タイトル	高分解能電子顕微鏡による化合物半導体/酸化絶縁膜界面構造の観察
タイトル	Observation of Interfaces of Compound Semiconductors by High Resolution Electron Microscope
著者	高橋, 平七郎 ; 柴山, 環樹 ; 長谷川, 英樹 ; 大野, 英男
著者名高橋, 平七郎 Takahashi, Heishichiro
著者名柴山, 環樹 Shibayama, Tamaki
著者名長谷川, 英樹 Hasegawa, Hideki
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
言語	日本語
発行日	1988-09-30
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	143
ページ	1-10
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223