分子線エピタキシ法によるGaAsおよびInGaAs選択ドープへテロ構造の形成と2次元電子ガスの特性評価

松崎, 賢一郎; 友沢, 秀征; 駱, 季奎他

北海道大學工學部研究報告, 1989, 146, 53-61

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42183

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42183
タイトル	分子線エピタキシ法によるGaAsおよびInGaAs選択ドープへテロ構造の形成と2次元電子ガスの特性評価
タイトル	The Growth of GaAs and InGaAs Selectively Doped Hetero-structures by Molecular Beam Epitaxy and Characterization of Two-dimensional Electron Gas
著者	松崎, 賢一郎 ; 友沢, 秀征 ; 駱, 季奎 ; 大野, 英男 ; 長谷川, 英機
著者名松崎, 賢一郎 Matsuzaki, Kenichirou
著者名友沢, 秀征 Tomozawa, Hidemasa
著者名駱, 季奎 Luo, Ji-Kui
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1989-05-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	146
ページ	53-61
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223