選択ドープAlGaAs/GaAsヘテロ構造における2次元電子の磁気抵抗効果

廣瀬, 達哉; 松崎, 賢一郎; 駱, 季奎他

北海道大學工學部研究報告, 1989, 146, 43-51

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42190

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42190
タイトル	選択ドープAlGaAs/GaAsヘテロ構造における2次元電子の磁気抵抗効果
タイトル	Magnetoresistance of Two Dimensional Electron Gas in AlGaAs/GaAs Selectively Doped Hetrero Structures
著者	廣瀬, 達哉 ; 松崎, 賢一郎 ; 駱, 季奎 ; 大野, 英男 ; 長谷川, 英機
著者名廣瀬, 達哉 Hirose, Tatsuya
著者名松崎, 賢一郎 Matsuzaki, Ken-ichiro
著者名駱, 季奎 Luo, Ji-Kui
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1989-05-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	146
ページ	43-51
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223