MOVPE法によるInAsの原子層エピタキシと成長機構

松原, 義徳; 後藤, 修; 大塚, 俊介他

北海道大學工學部研究報告, 1990, 150, 81-89

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42226

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150_81-90	pdf	531 KB	1,936

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42226
タイトル	MOVPE法によるInAsの原子層エピタキシと成長機構
タイトル	Atomic Layer Epitaxy of InAs by MOVPE and Growth Mechanism
著者	松原, 義徳 ; 後藤, 修 ; 大塚, 俊介 ; 長谷川, 英機 ; 大野, 英男
著者名松原, 義徳 Matsubara, Yoshinori
著者名後藤, 修 Goto, Shu
著者名大塚, 俊介 Ohtsuka, Shunsuke
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
言語	日本語
発行日	1990-05-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	150
ページ	81-89
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223