50keV Fe+をイオン注入したGaAsのDLTS

谷脇, 雅文; 小出, 秀人; 吉田, 博行他

北海道大學工學部研究報告, 1990, 153, 115-119

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42257

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42257
タイトル	50keV Fe+をイオン注入したGaAsのDLTS
タイトル	Deep Level Transient Spectroscopy of 50 keV Fe-Ion Implanted GaAs
著者	谷脇, 雅文 ; 小出, 秀人 ; 吉田, 博行 ; 林, 禎彦
著者名谷脇, 雅文 Taniwaki, Masafumi
著者名小出, 秀人 Koide, Hideto
著者名吉田, 博行 Yoshida, Hiroyuki
著者名林, 禎彦 Hayashi, Yoshihiko
言語	日本語
発行日	1990-11-29
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	153
ページ	115-119
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223