シリコン超薄膜を用いたInGaAsの表面不活性化とその応用

大植, 英司; 赤沢, 正道; 児玉, 聡他

北海道大學工學部研究報告, 1991, 156, 51-58

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42285

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156_51-58	pdf	995 KB	2,075

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42285
タイトル	シリコン超薄膜を用いたInGaAsの表面不活性化とその応用
タイトル	A New Surface Passivation Method of InGaAs Using a Si Ultrathin Layer and Its Application
著者	大植, 英司 ; 赤沢, 正道 ; 児玉, 聡 ; 長谷川, 英機
著者名大植, 英司 Ohue, Eiji
著者名赤沢, 正道 Akazawa, Masamichi
著者名児玉, 聡 Kodama, Satoshi
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1991-07-20
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	156
ページ	51-58
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223