原子層エピタキシ法によるInAs/GaAs量子井戸の形成と評価
樋口, 恵一; 後藤, 修; 福井, 孝志 他
北海道大學工學部研究報告, 1992, 159, 11-18
Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42309
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159_11-18
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