選択成長によるGaAs及びAlGaAs立体構造の作製と評価

岸田, 基也; 熊倉, 一英; 中越, 一彰他

北海道大學工學部研究報告, 1994, 170, 27-33

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42430

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170_27-34	pdf	1.08 MB	3,850

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42430
タイトル	選択成長によるGaAs及びAlGaAs立体構造の作製と評価
タイトル	Fabrication and Characterization of GaAs and AlGaAs Micro-Pyramids by Selective MOCVD
著者	岸田, 基也 ; 熊倉, 一英 ; 中越, 一彰 ; 山崎, 高宏 ; 本久, 順一 ; 福井, 孝志 ; 長谷川, 英機
著者名岸田, 基也 Kishida, Motoya
著者名熊倉, 一英 Kumakura, Kazuhide
著者名中越, 一彰 Nakakoshi, Kazuaki
著者名山崎, 高宏 Yamazaki, Takahiro
e-Rad_Researcher 60212263 著者名本久, 順一 Motohisa, Junichi
e-Rad_Researcher 30240641 著者名福井, 孝志 Fukui, Takasi
e-Rad_Researcher 60001781 著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1994-07-29
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	170
ページ	27-33
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223