Determination of spin-orbit coefficients in semiconductor quantum wells

Faniel, S.; Matsuura, T.; Mineshige, S. et al.

Physical Review B, 2011, 83(11), 115309

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/45039

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URI	https://hdl.handle.net/2115/45039
タイトル	Determination of spin-orbit coefficients in semiconductor quantum wells
著者	Faniel, S. ; Matsuura, T. ; Mineshige, S. ; Sekine, Y. ; Koga, T.
著者名 Faniel, S.
著者名 Matsuura, T.
著者名 Mineshige, S.
著者名 Sekine, Y.
著者名 Koga, T.
言語	英語
発行日	2011-03-15
出版者	American Physical Society
収録物名	Physical Review B
巻(号)	83(11)
ページ	115309
抄録	We report the determination of the intrinsic spin-orbit interaction (SOI) parameters for In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells (QWs) from the analysis of the weak antilocalization effect. We show that the Dresselhaus SOI is mostly negligible in this system and that the intrinsic parameter for the Rashba effect, a_[SO] ≣ 1 α/< Ez >, is given to be a_[SO]m/m_[e] = (1.46-1.51 x 10^[-17] N_[S] [m^[-2]]) e Å^[2], where α is the Rashba SOI coefficient, < Ez > is the expected electric field within the QW, m/m_[e] is the electron effective mass ratio, and N_[S] is the sheet carrier density. These values for a_[SO]m* were also confirmed by the observation of beatings in the Shubnikov-de Haas oscillations in our most asymmetric QW sample.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	©2011 American Physical Society
PISSN	1098-0121
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.115309