Elastic deformation blockade in a single-electron transistor

Nishiguchi, Norihiko

Physical Review B, 2003, 68(12), 121305-1-121305-4

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/47084

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/47084
タイトル	Elastic deformation blockade in a single-electron transistor
著者	e-Rad_Researcher 40175518 著者名 Nishiguchi, Norihiko
言語	英語
発行日	2003-09-16
出版者	American Physical Society
収録物名	Physical Review B
巻(号)	68(12)
ページ	121305-1-121305-4
記述	RAPID COMMUNICATIONS
抄録	A blockade phenomenon for electron transport in a freely suspended single-electron transistor (SET) is predicted. Voltages applied for its operation induce electromechanical forces acting on the SET, giving rise to structural deformation and collapse over a critical voltage. The electric characteristics become sensitive to charge fluctuations on the SET at the onset of the structural instability, leading to changes in the electrical characteristics that hinder electron transport through the SET around the zero-bias-voltage region.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	© 2003 The American Physical Society
PISSN	0163-1829
EISSN	1095-3795
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1103/PhysRevB.68.121305