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TSF518-6_S186-S189	pdf	285 KB	1,263

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/49548
タイトル	Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire
著者	Jo, Mingyu ; Kaizawa, Takuya ; Arita, Masashi ; Fujiwara, Akira ; Ono, Yukinori ; Inokawa, Hiroshi ; Choi, Jung-Bum ; Takahashi, Yasuo
著者名 Jo, Mingyu
著者名 Kaizawa, Takuya
e-Rad_Researcher 20222755 著者名 Arita, Masashi
著者名 Fujiwara, Akira
著者名 Ono, Yukinori
著者名 Inokawa, Hiroshi
著者名 Choi, Jung-Bum
e-Rad_Researcher 90374610 著者名 Takahashi, Yasuo
言語	英語
キーワード	Quantum dots
	Coulomb blockade
	single-electron tunneling
	double-dot SETs
発行日	2010-01-01
出版者	Elsevier B.V.
収録物名	Thin Solid Films
巻(号)	518(6, Supp. 1)
ページ	S186-S189
抄録	We propose a simple method for fabricating Si single-electron transistors (SET) with coupled dots by means of a pattern-dependent-oxidation (PADOX) method. The PADOX method is known to convert a small one-dimensional Si wire formed on a silicon-on-insulator (SOI) substrate into a SET automatically. We fabricated a double-dot Si SET when we oxidized specially designed Si nanowires formed on SOI substrates. We analyzed the measured electrical characteristics by fitting the measurement and simulation results and confirmed the double-dot formation and the position of the two dots in the Si wire.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Accepted Manuscript
PISSN	0040-6090
関連情報 (isVersionOf)	出版社版DOI https://doi.org/10.1016/j.tsf.2009.10.085

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