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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
000000307457	pdf	119 MB	690

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

アクセス権	open access
DOI	https://doi.org/10.11501/3122266
URI	https://hdl.handle.net/2115/51415
タイトル	Formation and mechanism of multilayer steps on vicinal(001)GaAs surfaces grown by metalorganic vapor phase epitaxy
	有機金属気相成長法による(001)微傾斜GaAs表面の多段原子ステップの形成と機構
著者	著者名 Ishizaki, Jun-ya 石崎, 順也
言語	英語
発行日	1997-03-25
出版者	Hokkaido University
ページ数	80p.
学位授与機関	識別子 10101 機関名 北海道大学 Hokkaido University
学位授与年月日	1997-03-25
学位授与番号	甲第4108号
学位名	博士(工学)
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record

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