閲覧可能ファイル 

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
000000399967	pdf	101 MB	722

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

アクセス権	open access
DOI	https://doi.org/10.11501/3182381
URI	https://hdl.handle.net/2115/51502
タイトル	Ultrahigh Vacuum Contactless Capacitance-Voltage Characterization of Clean and Passivated Silicon Surfaces
	超高真空対応非接触容量 : 電圧法によるシリコンの清浄表面と不活性化表面の評価
著者	著者名 Yoshida, Toshiyuki 吉田, 俊幸
言語	英語
発行日	2001-03-23
出版者	Hokkaido University
ページ数	131p
学位授与機関	識別子 10101 機関名 北海道大学 Hokkaido University
学位授与年月日	2001-03-23
学位授与番号	甲第5529号
学位名	博士(工学)
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record

ホームへ戻る