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JJAP-49-04DK06	pdf	435 KB	1,344

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/51904
タイトル	Electric Double Layer Gate Field-Effect Transistors Based on Si
著者	Yanase, Takashi ; Shimada, Toshihiro ; Hasegawa, Tetsuya
著者名 Yanase, Takashi
e-Rad_Researcher 10262148 著者名 Shimada, Toshihiro
著者名 Hasegawa, Tetsuya
言語	英語
発行日	2010-04
出版者	The Japan Society of Applied Physics
収録物名	Japanese Journal of Applied Physics
巻(号)	49(4)
ページ	04DK06
抄録	Electric double layer field-effect transistors (EDL-FETs) were fabricated using single crystal Si wafer as the active semiconductor and various characteristics were studied including dynamic response against step-function gate bias. The static FET mobility was more than 100 cm2 V-1 s-1. The response time of the drain current was 20 µs for ionic liquid and 3 ms for poly(ethylene glycol) (PEG) solution of LiBF4. Unexpected fast response was observed at a certain “speed up bias” condition. This effect will be useful to switching circuits using EDL-FETs.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Accepted Manuscript
権利情報	© 2010 The Japan Society of Applied Physics
PISSN	0021-4922
EISSN	1347-4065
NCID	AA12295836
関連情報	URI http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/49/04DK06/cite
関連情報 (isVersionOf)	出版社版DOI https://doi.org/10.1143/JJAP.49.04DK06

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