Nanoscale phase changes in crystalline Ge2Sb2Te5 films using scanning probe microscopes

Satoh, H.; Sugawara, K.; Tanaka, K.

Journal of Applied Physics, 2006, 99, 024306

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/5420
タイトル	Nanoscale phase changes in crystalline Ge2Sb2Te5 films using scanning probe microscopes
著者	Satoh, H. ; Sugawara, K. ; Tanaka, K.
著者名 Satoh, H.
著者名 Sugawara, K.
e-Rad_Researcher 20002313 著者名 Tanaka, K. 田中, 啓司
言語	英語
発行日	2006-01-15
出版者	American Institute of Physics
収録物名	Journal of Applied Physics
巻(号)	99
ページ	024306
抄録	Nanoscale amorphous marks have been produced in crystalline Ge2Sb2Te5 films using an atomic-force microscope (AFM) and a scanning-tunneling microscope (STM) through electrical phase changes. Voltage pulses with duration of 5–100 ns applied by metal probes of the AFM and the STM can produce, respectively, high-resistance regions and deformations, the smallest sizes being ~10 and ~100 nm in diameter. Raman-scattering spectra demonstrate that these marks are amorphous. The AFM mark can be erased by applying longer pulses. Formation processes of the marks are considered from electrothermal and thermodynamic aspects.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Copyright © 2006 American Institute of Physics
PISSN	0021-8979
関連情報	URI http://www.aip.org/
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1063/1.2163010