Fabrication and low-temperature transport properties of selectively grown dual-gated single-electron transistors

Motohisa, J.; Nakajima, F.; Fukui, T. et al.

Applied Physics Letters, 2002, 80(15), 2797-2799

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/5522

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/5522
タイトル	Fabrication and low-temperature transport properties of selectively grown dual-gated single-electron transistors
著者	Motohisa, J. ; Nakajima, F. ; Fukui, T. ; van der Wiel, W. G. ; Elzerman, J. M. ; De Franceschi, S. ; Kouwenhoven, L. P.
e-Rad_Researcher 60212263 著者名 Motohisa, J. 本久, 順一
著者名 Nakajima, F.
e-Rad_Researcher 30240641 著者名 Fukui, T.
著者名 van der Wiel, W. G.
著者名 Elzerman, J. M.
著者名 De Franceschi, S.
著者名 Kouwenhoven, L. P.
言語	英語
発行日	2002-04-15
出版者	American Institute of Physics
収録物名	Applied Physics Letters
巻(号)	80(15)
ページ	2797-2799
抄録	We report on the fabrication of a dual-gated single-electron transistor (SET) based on a quantum dot (QD) formed by selective area growth of metalorganic vapor-phase epitaxy, and its low-temperature transport properties. We observe clear Coulomb oscillations in a SET fabricated in combination with direct growth of nanostructures and lithographically defined metal gates. The magnetic field dependence of the Coulomb oscillations as well as the Coulomb diamonds suggest strong carrier confinement in our QD.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Copyright © 2002 American Institute of Physics
PISSN	0003-6951
関連情報	URI http://www.aip.org/
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1063/1.1470246