閲覧可能ファイル 

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
Yoshiaki_Nakata_abstract	pdf	21.6 KB	792	論文内容の要旨
Yoshiaki_Nakata_review	pdf	18.8 KB	761	審査の要旨

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/55305
タイトル	III-V族化合物半導体結晶の微細構造制御および量子構造の形成と応用に関する研究 [論文内容及び審査の要旨]
	Study on nano-structure control of III-V compound semiconductors and its extension to quantum structures for device applications
著者	著者名 中田, 義昭
言語	日本語
発行日	2014-03-25
出版者	Hokkaido University
学位授与機関	識別子 10101 機関名 北海道大学 Hokkaido University
学位授与番号	乙第6918号
学位名	博士(工学)
学位の審査委員	(主査) 教授 武藤 俊一, 教授 石政 勉, 教授 足立 智
学位審査の研究科等	工学院（応用物理学専攻）
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.1 Japan
関連情報 (references)	HDL https://hdl.handle.net/2115/55314

ホームへ戻る