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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
Yoshiaki_Nakata	pdf	9.67 MB	8,728

論文情報

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アクセス権	open access
DOI	https://doi.org/10.14943/doctoral.r6918
URI	https://hdl.handle.net/2115/55314
タイトル	III-V族化合物半導体結晶の微細構造制御および量子構造の形成と応用に関する研究
著者	著者名 中田, 義昭
言語	日本語
発行日	2014-03-25
出版者	Hokkaido University
ページ数	ii, 192p.
学位授与機関	識別子 10101 機関名 北海道大学 Hokkaido University
学位授与年月日	2014-03-25
学位授与番号	乙第6918号
学位名	博士(工学)
学位の審査委員	(主査) 教授 武藤 俊一, 教授 石政 勉, 教授 足立 智
学位審査の研究科等	工学院（応用物理学専攻）
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record
関連情報 (isReferencedBy)	HDL https://hdl.handle.net/2115/55305

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