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PE13(2-4)	pdf	666 KB	1,231

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/5535
タイトル	Low temperature transport in dual-gated SETs fabricated by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
著者	Motohisa, J. ; van der Wiel, W. G. ; Elzerman, J. M. ; De Franceschi, S. ; Nakajima, F. ; Ogasawara, Y. ; Fukui, T. ; Kouwenhoven, L. P.
e-Rad_Researcher 60212263 著者名 Motohisa, J. 本久, 順一
著者名 van der Wiel, W. G.
著者名 Elzerman, J. M.
著者名 De Franceschi, S.
著者名 Nakajima, F.
著者名 Ogasawara, Y.
e-Rad_Researcher 30240641 著者名 Fukui, T.
著者名 Kouwenhoven, L. P.
言語	英語
キーワード	Single electron transistor
	Selective-area metalorganic vapor phase epitaxy
	Coulomb oscillation
	Kondo effect
発行日	2002-04
出版者	Elsevier Science B.V.
収録物名	Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
巻(号)	13(2-4)
ページ	687-690
抄録	We describe transport measurements in a novel dual-gated single electron transistor based on a quantum dot (QD) fabricated by selective area growth of metalorganic vapor phase epitaxy. We observed, for the first time, clear Coulomb oscillations fabricated in combination with direct growth and lithographically defined metal gates, and achieved nearly independent control of the QD potential and the tunneling barrier height. We also were able to observe a signature of Kondo resonance when the coupling between leads and a quantum dot was sufficiently strong.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Accepted Manuscript
PISSN	1386-9477
関連情報	URI http://www.sciencedirect.com/science/journal/13869477
関連情報 (isVersionOf)	出版社版DOI https://doi.org/10.1016/S1386-9477(02)00259-X

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