Surface Passivation of AlGaN/GaN Heterostructures Using an Ultrathin Al2O3 Layer

Ootomo, S.; Hashizume, T.; Hasegawa, H.

Surface Passivation of AlGaN/GaN Heterostructures Using an Ultrathin Al2O3 Layer

Ootomo, S.; Hashizume, T.; Hasegawa, H.

Physica Status Solidi (a), 2001, 188(1), 371-374

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/5600

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論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/5600
タイトル	Surface Passivation of AlGaN/GaN Heterostructures Using an Ultrathin Al2O3 Layer
著者	Ootomo, S. ; Hashizume, T. ; Hasegawa, H.
著者名 Ootomo, S.
e-Rad_Researcher 80149898 著者名 Hashizume, T. 橋詰, 保
著者名 Hasegawa, H.
言語	英語
キーワード	73.40.Qv
	79.60.Jv
	81.65.Rv
	S7.14
	S10.1
発行日	2001-11-22
出版者	WILEY-VCH Verlag Berlin
収録物名	Physica Status Solidi (a)
巻(号)	188(1)
ページ	371-374
記述	Published in physica status solidi (a), 2001, Wiiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
抄録	We demonstrate a novel surface passivation process for AlGaN/GaN heterostructures utilizing an ultrathin Al2O3 layer (~1 nm). The Al deposition and thermal annealing processes in UHV were found to form the ultrathin Al2O3 layer on the surface of the AlGaN/GaN heterostructure, which was confirmed by in-situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis. The reverse leakage current for the Schottky gate contact on the Al2O3-passivated heterostructure surface was reduced by three orders of magnitude compared to that for the conventional Schottky gate structure. C-V results showed good gate controllability of the two-dimensional electron gas (2DEG) by the novel gate structure.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0031-8965
関連情報	URI http://www.interscience.wiley.com/
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1002/1521-396X(200111)188:1<371::AID-PSSA371>3.0.CO;2-P